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西安欣恒稀有金属有限公司
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宝石长晶炉
 
应用原理与介绍
    蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane。由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性。因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上,它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045℃)等特点,它是一种相当难加工的材料,因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小,同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求,使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料。
铌板,钽棒,钼管,钨棒

    蓝宝石需要在钨或钼材质的成型坩埚或热压烧结坩埚中进行高温生长,此外,我们还提供不同需求的热场, 隔热屏, 加热器和不计其数的高温炉零部件。

1:提拉法(Czochralski method),简称CZ法.先将原料加热至熔点后熔化形成熔体,再利用一单晶籽晶接触到熔体表面,在籽晶与熔体的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔体开始在籽晶表面凝固并生长和籽晶相同晶体结构的单晶。籽晶同时以极缓慢的速度往上拉升,并伴随以一定的转速旋转,随着籽晶的向上拉升,熔体逐渐凝固于籽晶的液固界面上,进而形成一轴对称的单晶晶锭。

2:泡生法(Kyropoulos method),简称KY法, 其原理与提拉法(Czochralskimethod)类似,先将原料加热至熔点后熔化形成熔体,再以单晶之籽晶(SeedCrystal,又称籽晶棒)接触到熔体表面,在籽晶与熔体的固液界面上开始生长和籽晶相同晶体结构的单晶,晶种以极缓慢的速度往上拉升,但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈,待熔体与籽晶界面的凝固速率稳定后,籽晶便不再拉升,也没有作旋转,仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固,最后凝固成一整个单晶晶锭。

3:热交换法(Heat Exchanger Method),简称HEM法,在热交换法生长蓝宝石晶体的过程中,坩埚底部放置籽晶的地方是低温区,当坩埚中的原料全部融化后,籽晶除接触熔体处略融外,其余部分保持不变。随着调节通入的氦气流量逐渐增大,低温区逐渐向上扩大,熔体自上部的高温区至下部的低温区行成了一个温度梯度分布,其梯度的大小与通入的氦气量有关。固液界面的位置产生了一个自下向上的推移过程,实现了晶体生长。因为温度的分布与重力场相反,因而熔体中没有对流作用发生,保证了晶体在稳定状态下生长,有利于获得高质量的蓝宝石晶体。


MOCVD外延设备

应用原理与介绍

    MOCVD外延设备应用于LED等行业。MO源及载气传输到反应室,以质量流量计控制气体流量,反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。
铌板,钽棒,钼管,钨棒
    反应腔是MOCVD最重要的部位,材料的特性与设备的好坏都由它决定。反应腔主要是所有气体混合及发生反应的地方,腔体通常是由不锈钢(带有冷却水回路)或是石英(太危险已成历史)所打造而成,而腔体的内壁通常具有由石英或是高温陶瓷所构成的内衬。在腔体中会有一个乘载盘(Wafer Carrier / Suscepetor)用来乘载基板,这个乘载盘必须能够有效率地吸收从加热器所提供的能量而达到薄膜成长时所需要的温度,而且还不能与反应气体发生反应,所以多半是用石墨所制造而成。(因为成长GaN需要NH3做为反应源,而NH3在高温时有腐蚀性所以石墨会镀上SiC保护。)加热器的设置,有的设置在反应腔体之内,也有设置在腔体之外。在反应腔体内部通常有许多可以让冷却水流通的通道,可以让冷却水来避免腔体本身在薄膜成长时发生过热的状况。


封装材料

应用原理与介绍


 
    钨铜、钼铜等电子封装材料,既具有钨、钼材料的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,尤为可贵的是,其热膨胀系数和导热导电性可以通过调整材料的成分而加以设计,因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的优质原料,经压制成形、高温烧结及熔渗后,得到性能优良的钨铜、钼铜电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料,如基片、电极等;高性能的引线框架;军用和民用的热控装置的热控板和散热器等。
铌板,钽棒,钼管,钨棒
 
铌板,钽棒,钼管,钨棒供应商:西安欣恒稀有金属有限公司
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